K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646Q Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics y K4B4G1646Q por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tcase) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latencia CAS | 11 (at 1600 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |