K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCNB0 von Samsung Electronics und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $14,10 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 2133 Mbps/pin | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Schnittstelle | DDR3L SDRAM | Parallel |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |