K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCNB0 por Samsung Electronics e MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $14,10 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2133 Mbps/pin | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | Parallel |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Tipo de memória | — | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |