K4B4G1646D-BCNB0 vs MT41K256M16TW-107 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCNB0 par Samsung Electronics et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCNB0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $14,10 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | Parallel |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |