K4B4G1646D-BYK00 vs MT41K256M16HA-15EM:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-15EM:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktivMicron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYK00 | MT41K256M16HA-15EM:E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $5,95 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1333 Mbps (DDR3L-1333) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35 V (1.5V compatible) |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (9x14mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS-Latenz | Programmable | 15 |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Schnittstelle | — | Parallel |