K4B4G1646D-BYK00 vs MT41K256M16HA-15EM:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-15EM:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYK00 | MT41K256M16HA-15EM:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,50 | $5,95 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1333 Mbps (DDR3L-1333) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35 V (1.5V compatible) |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (9x14mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | Programmable | 15 |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Interfaz | — | Parallel |