K4B4G1646D-BYK00 vs MT41K256M16HA-15EM:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-15EM:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK00 | MT41K256M16HA-15EM:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $5,95 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1333 Mbps (DDR3L-1333) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35 V (1.5V compatible) |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (9x14mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | Programmable | 15 |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Interface | — | Parallel |