K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYMA0 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $2,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 85°C |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |