K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BYMA0 por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BYK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,50 | $2,90 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Temperatura de operação | — | 0°C to 85°C |
| Latência CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Número de pinos | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |