K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BCNB von Samsung Electronics und K4B4G1646 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $13,52 | $11,96 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Datenrate | 1866 Mbps | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Schnittstellentyp | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | — |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |