K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BCNB メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $13.52 | $11.96 |
| メモリタイプ | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| データレート | 1866 Mbps | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 動作温度 | 0C to +95C | 0C to +95C |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| ピン数 | 96 | — |
| インターフェースタイプ | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | — |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| インターフェース | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |