K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646D-BCK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,80 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Datenrate | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps/pin |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C (Tcase) |
| CAS-Latenz | 11 (CL-tRCD-tRP) | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |