K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646D-BCK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Débit de données | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps/pin |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Latence CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |