K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125 AUT:K Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics und MT41K128M16JT-125 AUT:K von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K128M16JT-125 AUT:K |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,56 | $12,17 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 2 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 128M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | -125 (1600 MT/s) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8x14) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V |
| Automotive Qualification | — | Yes (AUT part number suffix) |
| Marking Code | — | D9VKD |
| Datenrate | — | 1600 MT/s |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix variant available) |