K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125 AUT:K 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYK000 제조: Samsung Electronics 및 MT41K128M16JT-125 AUT:K 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K128M16JT-125 AUT:K |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.56 | $12.17 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 2 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 128M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | -125 (1600 MT/s) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| 패키지 | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8x14) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| Automotive Qualification | — | Yes (AUT part number suffix) |
| Marking Code | — | D9VKD |
| 데이터 속도 | — | 1600 MT/s |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix variant available) |