K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BMK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646Q von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BMK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | — |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA (TFBGA) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | -40°C to 95°C |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |