K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BMK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646Q от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BMK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4B4G1646Q K4B4G1646D-BMK0
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $5,90
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Разрядность шины данных 16 bits —
Напряжение питания 1.35V —
Скорость передачи данных 1866 Mbps (PC3-14900) 1600 Mbps
Корпус 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
Без галогенов Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Задержка CAS Programmable —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating temperature range] -40°C to 95°C
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену