K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RBH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Datenrate | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | 106-ball FBGA | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Schnittstelle | — | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |