K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BCQK от Samsung Electronics и K4RBH086VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Скорость передачи данных 4800 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Error Correction On-die ECC —
Особенности Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Рабочая температура 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 106-ball FBGA FBGA-82
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Статус жизненного цикла Active —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Организация памяти — 2G x 8
Интерфейс — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену