K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics y K4RBH086VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| Características | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 106-ball FBGA | FBGA-82 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Interfaz | — | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |