K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH165VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RBH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Datenrate | 4800 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | On-chip (on-die) ECC |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| Gehäuse | 106-ball FBGA | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Speed Grade | — | BCQK (4800 Mbps) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Versorgungsspannung | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] |