K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,92 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | DRAM (volatile) |
| Gehäuse | FBGA-106 | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Datenrate | — | 5600 Mbps |
| Schnittstelle | — | DDR5 (parallel) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |