K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM 비교
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Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4RAH165VB-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.92 | $44.55 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| 공급 전압 | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | DRAM (volatile) |
| 패키지 | FBGA-106 | FBGA-82 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +85C | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| 메모리 구성 | — | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | — | 5600 Mbps |
| 인터페이스 | — | DDR5 (parallel) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| 수명 주기 상태 | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |