K4RBH046VM-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RBH046VM-BCWM von Samsung Electronics und K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RBH046VM-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $11,35 | $7,65 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| Betriebstemperatur | 0 C to 85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 82 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Semiconductor |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Schnittstelle | — | DDR5 (JEDEC) |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |