K4RBH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RBH086VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RBH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Datenrate | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | 5600 Mbps |
| Schnittstelle | Parallel, DDR5 | DDR5 (parallel) |
| Gehäuse | 82-FBGA | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0 C to 85 C | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Product Status | Mass Production | — |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | DRAM (volatile) |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |