K4RBH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RBH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RBH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $44,55
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] 5600 Mbps
Интерфейс Parallel, DDR5 DDR5 (parallel)
Корпус 82-FBGA FBGA-82
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура 0 C to 85 C Commercial temperature range (per datasheet)
Product Status Mass Production —
Memory Format Volatile (DRAM) —
Technology DDR5 SDRAM DRAM (volatile)
Manufacturer Samsung Semiconductor —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
On-Die ECC Yes (per JEDEC DDR5 specification) —
Размер памяти — 16 Gb
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Статус жизненного цикла — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену