K4RBH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RBH086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RBH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $44,55
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Taxa de dados [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] 5600 Mbps
Interface Parallel, DDR5 DDR5 (parallel)
Encapsulamento 82-FBGA FBGA-82
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0 C to 85 C Commercial temperature range (per datasheet)
Product Status Mass Production —
Memory Format Volatile (DRAM) —
Technology DDR5 SDRAM DRAM (volatile)
Manufacturer Samsung Semiconductor —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
On-Die ECC Yes (per JEDEC DDR5 specification) —
Tamanho da memória — 16 Gb
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Status do ciclo de vida — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fichas técnicas e recursos

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