K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,65 | $41,02 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 4800 Mbps (DDR5-4800) |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Gehäuse | 82 FBGA | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR5 (JEDEC) | Parallel |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to 95C (commercial) |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Clock Frequency | — | 2400 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | BL32 (DDR5 standard) |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (datasheet timing basis) |
| Product Status | — | Active |
| Packaging | — | Tray |