K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: K4RHE086VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ 生産中
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K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VB-BCQK
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.65 $41.02
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 16 Gb
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
データレート 5600 Mbps 4800 Mbps (DDR5-4800)
電源電圧 1.1 V —
パッケージ 82 FBGA FBGA-82
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース DDR5 (JEDEC) Parallel
Configuration x8 —
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 95C (commercial)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
ECC — On-die ECC
Burst Length — BL32 (DDR5 standard)
Memory Format — DRAM (volatile)
DLL Mode — DLL Enabled (datasheet timing basis)
Product Status — Active
Packaging — Tray

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