K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE086VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RBH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,65 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Gehäuse | 82 FBGA | 82-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR5 (JEDEC) | Parallel, DDR5 |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | Samsung Semiconductor |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to 85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes (per JEDEC DDR5 specification) |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Product Status | — | Mass Production |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Technology | — | DDR5 SDRAM |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |