K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,65 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | 82 FBGA | 82-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | Parallel, DDR5 |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | Samsung Semiconductor |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 C to 85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes (per JEDEC DDR5 specification) |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Product Status | — | Mass Production |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Technology | — | DDR5 SDRAM |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |