K4RHE086VP vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE086VP von Samsung Electronics und K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE086VP | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DDR5 | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,90 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Speicherorganisation | x8 | 1G x 16 |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Schnittstellentyp | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | — |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Marke | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Datenrate | — | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Gehäuse | — | 106 FBGA |
| Betriebstemperatur | — | 0 to 85 C |
| Product Status | — | Mass Production |
| Schnittstelle | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |