K4RHE086VP vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RHE086VP от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RHE086VP K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RHE086VP K4RHE165VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория DDR5 Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,90 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 24 Gb (3 GB)
Организация памяти x8 1G x 16
Process Node 1a-class (D1a) —
Package Type FBGA —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Тип интерфейса DDR5 (double data rate 5) —
Maximum Data Rate [DATA_NEEDED: speed bin data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD in V] —
On-Die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: temperature range] —
Бренд Samsung Electronics —
Product Family Samsung K4RHE DDR5 series —
Typical Application Server / client DRAM modules —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Скорость передачи данных — 5600 Mbps
Напряжение питания — 1.1 V
Корпус — 106 FBGA
Рабочая температура — 0 to 85 C
Product Status — Mass Production
Интерфейс — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену