K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55000 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K6X0808C1D-BF55 von Samsung Electronics und K6X0808C1D-GF55000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AktivSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,85 | $3,20 |
| Speichertyp | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Versorgungsspannung | 5 V | 5 V |
| Technology | CMOS | Low-power CMOS |
| Gehäuse | 28-SOP | 28-SOP |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Memory Format | SRAM | Volatile, no refresh required |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| Ausgangstyp | — | Three-state, common data I/O |