K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55000 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics e K6X0808C1D-GF55000 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AtivoSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,85 | $3,20 |
| Tipo de memória | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Tamanho da memória | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organização da memória | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Tensão de alimentação | 5 V | 5 V |
| Technology | CMOS | Low-power CMOS |
| Encapsulamento | 28-SOP | 28-SOP |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Memory Format | SRAM | Volatile, no refresh required |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| Tipo de saída | — | Three-state, common data I/O |