K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF55 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K6X0808C1D-GF55T00 von Samsung Electro-Mechanics und K6X0808C1D-BF55 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ AktivSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Speichertyp | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Speichergröße | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Versorgungsspannung | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5 V |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| Gehäuse | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Memory Format | — | SRAM |
| Refresh | — | Not required (static memory) |