K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF55 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-GF55T00 por Samsung Electro-Mechanics y K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ ActivoSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Tipo de memoria | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Tamaño de memoria | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organización de memoria | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5 V |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| Encapsulado | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Memory Format | — | SRAM |
| Refresh | — | Not required (static memory) |