K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF55T00 par Samsung Electro-Mechanics et K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ ActifSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5 V |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| Boîtier | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Memory Format | — | SRAM |
| Refresh | — | Not required (static memory) |