L9779-TR vs L9779WDM-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779-TR von STMicroelectronics und L9779WDM-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779-TR L9779WDM-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,60 $1,85
Ausgangstyp Fixed Low-Side Open-Drain
Output Voltage 1 5 V —
Output Voltage 2 3.3 V —
Maximum Output Current 1 400 mA —
Maximum Output Current 2 100 mA —
Eingangsspannungsbereich 5.5 V to 18 V —
Dropout-Spannung 0.5 V at 400 mA —
Output Voltage Accuracy ±2% —
Quiescent Current (standby) 50 µA —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +150°C -40C to +150C
Gehäuse PowerSO-20 SOIC-20 (SO-20)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung 35 °C/W —
Protection Features Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Channels — 4
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Ruhestrom — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Schnittstelle — SPI
MSL-Level — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

Datenblätter & Ressourcen

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