L9779-TR vs L9779WDM-TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de L9779-TR por STMicroelectronics e L9779WDM-TR por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro L9779-TR L9779WDM-TR
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,60 $1,85
Tipo de saída Fixed Low-Side Open-Drain
Output Voltage 1 5 V —
Output Voltage 2 3.3 V —
Maximum Output Current 1 400 mA —
Maximum Output Current 2 100 mA —
Faixa de tensão de entrada 5.5 V to 18 V —
Tensão de dropout 0.5 V at 400 mA —
Output Voltage Accuracy ±2% —
Quiescent Current (standby) 50 µA —
Faixa de temperatura de operação -40°C to +150°C -40C to +150C
Encapsulamento PowerSO-20 SOIC-20 (SO-20)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Resistência térmica, junção-ambiente 35 °C/W —
Protection Features Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
Status RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 4
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Corrente de repouso — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Interface — SPI
Nível MSL — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

Fichas técnicas e recursos

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