L9779-TR vs L9779WDM-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de L9779-TR par STMicroelectronics et L9779WDM-TR par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre L9779-TR L9779WDM-TR
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,60 $1,85
Type de sortie Fixed Low-Side Open-Drain
Output Voltage 1 5 V —
Output Voltage 2 3.3 V —
Maximum Output Current 1 400 mA —
Maximum Output Current 2 100 mA —
Plage de tension d'entrée 5.5 V to 18 V —
Tension de déchet 0.5 V at 400 mA —
Output Voltage Accuracy ±2% —
Quiescent Current (standby) 50 µA —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +150°C -40C to +150C
Boîtier PowerSO-20 SOIC-20 (SO-20)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Résistance thermique, jonction-ambiance 35 °C/W —
Protection Features Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 4
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Courant de repos — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Interface — SPI
Niveau MSL — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

Fiches techniques et ressources

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