L9779WDM-TR vs L9779-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779WDM-TR von STMicroelectronics und L9779-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779WDM-TR L9779-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $1,60
Number of Channels 4 —
Ausgangstyp Low-Side Open-Drain Fixed
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Ruhestrom 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Schnittstelle SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C -40°C to +150°C
Gehäuse SOIC-20 (SO-20) PowerSO-20
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 (168 hours) —
RoHS-Status Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Output Voltage 1 — 5 V
Output Voltage 2 — 3.3 V
Maximum Output Current 1 — 400 mA
Maximum Output Current 2 — 100 mA
Eingangsspannungsbereich — 5.5 V to 18 V
Dropout-Spannung — 0.5 V at 400 mA
Output Voltage Accuracy — ±2%
Quiescent Current (standby) — 50 µA
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung — 35 °C/W

Datenblätter & Ressourcen

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