L9779WDM-TR vs L9779-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de L9779WDM-TR par STMicroelectronics et L9779-TR par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre L9779WDM-TR L9779-TR
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $1,60
Number of Channels 4 —
Type de sortie Low-Side Open-Drain Fixed
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Courant de repos 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C -40°C to +150°C
Boîtier SOIC-20 (SO-20) PowerSO-20
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (168 hours) —
Statut RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Output Voltage 1 — 5 V
Output Voltage 2 — 3.3 V
Maximum Output Current 1 — 400 mA
Maximum Output Current 2 — 100 mA
Plage de tension d'entrée — 5.5 V to 18 V
Tension de déchet — 0.5 V at 400 mA
Output Voltage Accuracy — ±2%
Quiescent Current (standby) — 50 µA
Résistance thermique, jonction-ambiance — 35 °C/W

Fiches techniques et ressources

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