L9779WDM-TR vs L9779-TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de L9779WDM-TR por STMicroelectronics e L9779-TR por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro L9779WDM-TR L9779-TR
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $1,60
Number of Channels 4 —
Tipo de saída Low-Side Open-Drain Fixed
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Corrente de repouso 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C -40°C to +150°C
Encapsulamento SOIC-20 (SO-20) PowerSO-20
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 (168 hours) —
Status RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Output Voltage 1 — 5 V
Output Voltage 2 — 3.3 V
Maximum Output Current 1 — 400 mA
Maximum Output Current 2 — 100 mA
Faixa de tensão de entrada — 5.5 V to 18 V
Tensão de dropout — 0.5 V at 400 mA
Output Voltage Accuracy — ±2%
Quiescent Current (standby) — 50 µA
Resistência térmica, junção-ambiente — 35 °C/W

Fichas técnicas e recursos

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