L9779WDM-TR vs L9779WD-SPI-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779WDM-TR von STMicroelectronics und L9779WD-SPI-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779WDM-TR L9779WD-SPI-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $14,50
Number of Channels 4 —
Ausgangstyp Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Ruhestrom 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Schnittstelle SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C -40 C to +125 C
Gehäuse SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (S-PQFP-G64)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 (168 hours) —
RoHS-Status Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Product Type — Multifunction Engine Management PMIC
Technology — BCD6S smart power
Supply Voltage (VBAT) — [DATA_NEEDED: VBAT operating range V]
Output Channels — Multiple low-side/high-side drivers (injectors, ignition, relays, lamps)
Communication Interface — SPI (daisy-chain capable)
SPI Clock Frequency — Up to 5 MHz
Pin-Anzahl — 64
Key Features — Reverse-battery protection on KEY_ON, MRD output, freewheeling diodes, diagnostic feedback, fail-safe outputs
Diagnostic Functions — Open-load, short-to-battery, short-to-ground, over-temperature
Qualification — Automotive grade
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix -TR)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern