L9779WDM-TR vs L9779WD-SPI-TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de L9779WDM-TR por STMicroelectronics e L9779WD-SPI-TR por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro L9779WDM-TR L9779WD-SPI-TR
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $14,50
Number of Channels 4 —
Tipo de saída Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Corrente de repouso 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C -40 C to +125 C
Encapsulamento SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (S-PQFP-G64)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 (168 hours) —
Status RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Product Type — Multifunction Engine Management PMIC
Technology — BCD6S smart power
Supply Voltage (VBAT) — [DATA_NEEDED: VBAT operating range V]
Output Channels — Multiple low-side/high-side drivers (injectors, ignition, relays, lamps)
Communication Interface — SPI (daisy-chain capable)
SPI Clock Frequency — Up to 5 MHz
Contagem de pinos — 64
Key Features — Reverse-battery protection on KEY_ON, MRD output, freewheeling diodes, diagnostic feedback, fail-safe outputs
Diagnostic Functions — Open-load, short-to-battery, short-to-ground, over-temperature
Qualification — Automotive grade
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix -TR)

Fichas técnicas e recursos

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