L9779WDM-TR vs L9779WD-SPI-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de L9779WDM-TR par STMicroelectronics et L9779WD-SPI-TR par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre L9779WDM-TR L9779WD-SPI-TR
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $14,50
Number of Channels 4 —
Type de sortie Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Courant de repos 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C -40 C to +125 C
Boîtier SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (S-PQFP-G64)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (168 hours) —
Statut RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Product Type — Multifunction Engine Management PMIC
Technology — BCD6S smart power
Supply Voltage (VBAT) — [DATA_NEEDED: VBAT operating range V]
Output Channels — Multiple low-side/high-side drivers (injectors, ignition, relays, lamps)
Communication Interface — SPI (daisy-chain capable)
SPI Clock Frequency — Up to 5 MHz
Nombre de broches — 64
Key Features — Reverse-battery protection on KEY_ON, MRD output, freewheeling diodes, diagnostic feedback, fail-safe outputs
Diagnostic Functions — Open-load, short-to-battery, short-to-ground, over-temperature
Qualification — Automotive grade
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix -TR)

Fiches techniques et ressources

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