L9779WDM-TR vs L9779WD-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779WDM-TR von STMicroelectronics und L9779WD-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779WDM-TR L9779WD-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $9,40
Number of Channels 4 —
Ausgangstyp Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Ruhestrom 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Schnittstelle SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C —
Gehäuse SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 (168 hours) —
RoHS-Status Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Funktion — Multifunction IC for engine management
Topologie — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
Thermisches Abschalten — Yes
Betriebstemperatur — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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