L9779WDM-TR vs L9779WD-TR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de L9779WDM-TR por STMicroelectronics e L9779WD-TR por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro L9779WDM-TR L9779WD-TR
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $9,40
Number of Channels 4 —
Tipo de saída Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Corrente de repouso 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C —
Encapsulamento SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 (168 hours) —
Status RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Função — Multifunction IC for engine management
Topologia — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
Desligamento térmico — Yes
Temperatura de operação — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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