L9779WDM-TR vs L9779WD-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de L9779WDM-TR par STMicroelectronics et L9779WD-TR par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre L9779WDM-TR L9779WD-TR
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $9,40
Number of Channels 4 —
Type de sortie Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Courant de repos 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Interface SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C —
Boîtier SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (168 hours) —
Statut RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Fonction — Multifunction IC for engine management
Topologie — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
Arrêt thermique — Yes
Température de fonctionnement — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Fiches techniques et ressources

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